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研究領(lǐng)域

半導(dǎo)體熱電材料

發(fā)布時(shí)間:2018-01-25

半導(dǎo)體熱電材料(英文名:semiconductor thermoelectric material)指具有較大熱電效應(yīng)的半導(dǎo)體材料,亦稱溫差電材料。它能直接把熱能轉(zhuǎn)換成電能,或直接由電能產(chǎn)生致冷作用。

制備方法編輯

半導(dǎo)體熱電材料的制備方法大致有如下幾種:

(1)粉末冶金法。宜于大批量生產(chǎn),材料的機(jī)械強(qiáng)度高且成分均勻,易于制成各種形狀的溫差電元件,其缺點(diǎn)是破壞了結(jié)晶方位,材料密度較小,從而不能獲得高的熱電性能。

(2)熔體結(jié)晶法。設(shè)備操作簡(jiǎn)單,嚴(yán)格控制可獲得單晶或由幾個(gè)大晶粒組成的晶體,材料性能較好。缺點(diǎn)是不宜大批量生產(chǎn),材料的機(jī)械強(qiáng)度差,切割的材料耗損較大。

(3)連續(xù)澆鑄法。宜于大批量生產(chǎn)。缺點(diǎn)是設(shè)備費(fèi)用大,且不易控制。

(4)區(qū)域熔煉法??色@得高質(zhì)量的單晶材料,雜質(zhì)分布均勻。缺點(diǎn)是價(jià)格昂貴,不宜大批量生產(chǎn)。

(5)單晶拉制法。可獲得高質(zhì)量的單晶,但單晶爐的結(jié)構(gòu)比較復(fù)雜。缺點(diǎn)是不適宜大批量生產(chǎn)。

(6)外延法制取薄膜。該法目前用于Bi2Te3薄膜生長(zhǎng)。

應(yīng)用領(lǐng)域編輯

半導(dǎo)體溫差發(fā)電材料用于制備溫差發(fā)電機(jī),已應(yīng)用于海岸掛燈、浮標(biāo)燈、邊防通訊用電源、石油管道中無(wú)人中繼站電源和野戰(zhàn)攜帶電源以及海底探查、宇宙飛船和各類人造衛(wèi)星用電源。

半導(dǎo)體溫差致冷材料,用于制造各種類型的半導(dǎo)體溫差致冷器,如各種小型冷凍器、恒溫器、露點(diǎn)溫度計(jì)、電子裝置的冷卻,以及在醫(yī)學(xué)、核物理、真空技術(shù)等方面都有應(yīng)用。

發(fā)展趨勢(shì)

(1)尋求為滿足不同用途和更佳優(yōu)值系數(shù)的新型半導(dǎo)體材料。

(2)對(duì)材料的研究愈來(lái)愈深入,如將p型Sb2Te3加入Bi2Se3中,組成四元合金,獲得較好的Z值。

(3)發(fā)展材料制備工藝,以獲得佳的組織結(jié)構(gòu)。例如,Bi2Te3及以其為基的固溶體在晶體結(jié)構(gòu)上是輝碲鉍礦型結(jié)構(gòu),有強(qiáng)烈的方向性,平行于解理面的電導(dǎo)率σ是垂直于解理面的4~10倍,熱導(dǎo)率為3~5倍,溫差電優(yōu)值系數(shù)約為2倍,所以取向晶體致冷元件正是利用晶體的這一特點(diǎn)。

(4)以多種材料,按不同的工作溫度范圍配套,改善優(yōu)值系數(shù)。


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